Beskrivning
Art.nr: MZ-V9S2T0BW
Specification
Kapacitet
2 TB
Maskinvarukryptering
Ja
Krypteringsalgoritm
256 bitars AES
NAND-flashminnestyp
Trippelnivåcell (TLC)
Formfaktor
M.2 2280
Gränssnitt
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Egenskaper
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep-stöd, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-support, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Bredd
22.15 mm
Djup
80.15 mm
Höjd
2.38 mm
Vikt
9 g